01 апреля 2015
Объемная флеш-память 3D NAND позволит увеличить емкость автономных и сетевых накопителей данных
Компании «Micron Technology, Inc.» и «Intel» объявили о создании образцов флеш-памяти по технологии 3D NAND. Она позволяет в 3 раза увеличить плотность размещения ячеек памяти по сравнению с устройствами на базе технологии NAND.
В технологии 3D NAND используются ячейки с плавающим затвором, которые широко используются при массовом производстве планарной флеш-памяти. По новой технологии ячейки памяти группируются в 32 слоя, что позволяет обеспечить объем 256 Гбит для памяти типа MLC и 384 Гбит для TLC. Увеличение емкости позволяет создавать твердотельные накопители формата 2,5"с объемом 10 Тбайт.
MLC-версия памяти 3D NAND объемом 256 Гбит поставляется в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии объемом 384 Гбит ожидаются весной. Серийное производство продукции запланировано на IV квартал этого года.
Основные преимущества накопителей на базе технологии 3D NAND:
-
низкое энергопотребление;
-
снижение стоимости;
-
увеличение емкости в 3 раза;
-
увеличение скорости операций чтения/записи в произвольном режиме;
-
увеличение срока службы накопителей.
